集微網(wǎng)消息，據(jù)重慶日報報道，目前，重慶郵電大學實驗室已成功研發(fā)第三代半導體氮化鎵功率芯片。

重慶郵電大學光電工程學院副教授黃義透露，這款功率半導體芯片電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關速度提升10倍以上。目前，該項目已經(jīng)到了試驗性應用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領域和大數(shù)據(jù)中心使用。

據(jù)了解，第三代半導體功率芯片主要應用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，具備體積小、效率高、用電量少等特點。

值得注意的是，由重慶郵電大學規(guī)劃的重慶集成電路設計創(chuàng)新孵化中心已入駐西部（重慶）科學城。

據(jù)悉，該中心將著力建設重慶市集成電路公共設計、測試分析、半導體工藝等為一體集成電路中試平臺，結合重慶市新興產(chǎn)業(yè)需求，提供低成本、高效率的集成電路公共服務與專業(yè)技術支持；孵化一批人工智能芯片、公共安全專用芯片、化合物半導體芯片等方向的高端科技成果及高科技企業(yè)。