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關(guān)于DC/DC電源和EMI的討論

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關(guān)鍵詞:EMI,DC/DC,電源

      1)DCDC噪聲源特性

      DCDC的噪聲的影響三個(gè)參數(shù)主要為

      關(guān)于DC/DC電源和EMI的討論

      占空比Duty:占空比上升導(dǎo)致噪聲幅度上升

      開關(guān)頻率Fs:是的噪聲衰減變在頻譜上延伸了,開關(guān)頻率一般我們可以分為幾個(gè)大類

      20~100Khz:電感較大引起的成本、尺寸基本讓低頻設(shè)計(jì)慢慢不是一種選擇。

      100~550Khz:主要的選擇選擇

      開關(guān)頻率主要對電感大小、效率、RE/CE的特性影響比較大

      上升時(shí)間Tr

      備注:開關(guān)頻率的影響其實(shí)很大,不僅僅是EMC的效果,在不同的案子里面可以得到不同的影響關(guān)系,如《Choosing the optimum switching frequency of your DC/DC converter》所示:

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      2)如下面的案子所示

      2.1)這是一個(gè)典型的BuckBoost的電源電路,沒有病必需要過CISPR25 Class 3

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      2.2 初測結(jié)果

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      2.3 整改措施

      2.3.1 原理分析

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      兩個(gè)開關(guān)環(huán)路中含有非連續(xù)的大電流環(huán)路是最主要的噪聲源

      增加Vin和Vss電容可以減少高頻環(huán)路的電流

      2.3.2 頻率選擇

      噪聲分量和電流大小,環(huán)路面積和頻率成正比,和距離成反比

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      以下依次為不同頻率的效果對比(120、240和400Khz),深紫色為抖頻的效果

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      2.3.2 開關(guān)速度的優(yōu)化

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      2.3.3 布局優(yōu)化影響

      在布局上盡可能將C14(Vin-Vss電容)放在續(xù)流二極管和MOSFET邊上減少高頻環(huán)路面積

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      以下是實(shí)物照片

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      補(bǔ)充一些相關(guān)的材料,除開芯片廠家的努力,我們能加入的設(shè)計(jì)手段主要包括:

      1)輸入濾波優(yōu)化

      RSIL filter 5μH 100nF 50Ω

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      2)輸出濾波優(yōu)化

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      3)Snubber電路

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      小結(jié):

      1)感謝建宇兄的案例總結(jié),我們可以定量和定性的看這些參數(shù)的選擇對實(shí)際試驗(yàn)的結(jié)果

      2)這個(gè)的設(shè)計(jì),需要打通原理、計(jì)算、功能試驗(yàn)和實(shí)際驗(yàn)證的環(huán)路

    (審核編輯: 滄海一土)

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